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Toshiba
Transistor IGBT 600V 60A GT30J324
Référence produit : GT30J324
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 4.99 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 60A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 3.0V à 6.5V |
Description technique du produit (GT30J324):
Transistor IGBT 600V 60A GT30J324. Transistor IGBT de puissance N-canal conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.