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Fairchild

Transistor IGBT 600V 60A FGH60N60SMD

Référence produit : FGH60N60SMD
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Total : 21,80 €
La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)60A
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))2.0V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))5.0V (typ.)

Description technique du produit (FGH60N60SMD):

Transistor IGBT 600V 60A FGH60N60SMD. Transistor IGBT de puissance N-canal conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.