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Fairchild

Transistor IGBT 600V 60A FGH60N60SFD

Référence produit : FGH60N60SFD
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)60A
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))2.0V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 6.0V

Description technique du produit (FGH60N60SFD):

Transistor IGBT 600V 60A FGH60N60SFD. Transistor IGBT de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation rapide et de haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et une robustesse élevée.