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Infineon Technologies
Transistor IGBT 600V 50A IKW50N60T
Référence produit : IKW50N60T
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 10.51 € | — |
| 30+Meilleur prix | 10.01 € | -5% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur | 600V |
| Courant collecteur | 50A |
| Vce(sat) typique | 1.8V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) typique | 5.5V |
| Boîtier | TO-247 |
Description technique du produit (IKW50N60T):
Transistor IGBT 600V 50A IKW50N60T. Transistor IGBT de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation rapide et de haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et une robustesse élevée.