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Infineon Technologies
Transistor IGBT 600V 50A IKW50N60H3
Référence produit : IKW50N60H3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 59 | 10.08 € | — |
| 60+Meilleur prix | 9.60 € | -5% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 50A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 1.85V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 4.5V (typ.) |
| Boîtier | TO-247 |
Description technique du produit (IKW50N60H3):
Transistor IGBT 600V 50A IKW50N60H3. L'IKW50N60H3 est un transistor IGBT de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation rapide et de haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et des pertes de commutation réduites, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance et les entraînements de moteurs.