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IXYS

Transistor IGBT 600V 48A IXGR48N60C3D1

Référence produit : IXGR48N60C3D1
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)48A
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))1.7V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))5.0V (typ.)

Description technique du produit (IXGR48N60C3D1):

Transistor IGBT 600V 48A IXGR48N60C3D1. Transistor IGBT de puissance avec diode de roue libre intégrée, optimisé pour les applications de commutation rapide et de haute puissance.