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Fairchild

Transistor IGBT 600V 45A HGTG20N60B3D

Référence produit : HGTG20N60B3D
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur continu (Ic)45A (à 25°C)
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))1.8V (typ.)
Tension de seuil de grille-émetteur (Vge(th))5V (typ.)

Description technique du produit (HGTG20N60B3D):

Transistor IGBT 600V 45A HGTG20N60B3D. Transistor IGBT de puissance N-canal conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et des pertes de commutation réduites.