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Stmicroelectronics

Transistor IGBT 600V 40A STGW40NC60KD

Référence produit : STGW40NC60KD
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)40A
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))2.0V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))5.5V (typ.)

Description technique du produit (STGW40NC60KD):

Transistor IGBT 600V 40A STGW40NC60KD. Transistor IGBT de puissance N-canal conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.