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IXYS
Transistor IGBT 600V 40A IXGR40N60B2D1
Référence produit : IXGR40N60B2D1
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 18.26 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 40A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.0V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V |
Description technique du produit (IXGR40N60B2D1):
Transistor IGBT 600V 40A IXGR40N60B2D1. Transistor IGBT de puissance en boîtier TO-247, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant.