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Transistor IGBT 600V 40A IRG4PC40WPBF

Référence produit : IRG4PC40WPBF
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)40A
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))1.8V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 6.0V

Description technique du produit (IRG4PC40WPBF):

Transistor IGBT 600V 40A IRG4PC40WPBF. Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de 600V et 40A, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse. Il offre une faible tension Vce(sat) et des caractéristiques de commutation rapides.