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IXYS
Transistor IGBT 600V 39A IXGH39N60BD1
Référence produit : IXGH39N60BD1
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 29.40 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 39A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V (typ.) |
Description technique du produit (IXGH39N60BD1):
Transistor IGBT 600V 39A IXGH39N60BD1. Transistor IGBT de puissance à canal N, haute vitesse, avec diode de récupération rapide intégrée, conçu pour les applications de commutation à haute puissance.