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Toshiba

Transistor IGBT 600V 35A GT35J321

Référence produit : GT35J321
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)35A (à 100°C)
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))2.0V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 6.5V

Description technique du produit (GT35J321):

Transistor IGBT 600V 35A GT35J321. Le GT35J321 est un transistor IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide, le rendant idéal pour les convertisseurs et les onduleurs.