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IXYS
Transistor IGBT 600V 32A IXGH32N60BU1
Référence produit : IXGH32N60BU1
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 21.65 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 32A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 1.8V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5V (typ.) |
Description technique du produit (IXGH32N60BU1):
Transistor IGBT 600V 32A IXGH32N60BU1. Transistor IGBT de puissance en boîtier TO-247, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant.