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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 600V 30A YJP30GP10A
Référence produit : YJP30GP10A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 1.74 € | — |
| 5 – 19 | 1.39 € | -20% |
| 20 – 49 | 1.25 € | -28% |
| 50 – 99 | 1.14 € | -34% |
| 100 – 149 | 1.06 € | -39% |
| 150+Meilleur prix | 1.03 € | -41% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 30A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V (typ.) |
Description technique du produit (YJP30GP10A):
Transistor IGBT 600V 30A YJP30GP10A. Transistor IGBT de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.