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Infineon Technologies
Transistor IGBT 600V 30A SGP30N60HS
Référence produit : SGP30N60HS
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 6.92 € | — |
| 50+Meilleur prix | 6.59 € | -5% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Vces (Tension collecteur-émetteur) | 600V |
| Ic (Courant collecteur) | 30A |
| Vce(sat) (Tension collecteur-émetteur à saturation) | 2.0V (typ.) |
| Vge(th) (Tension de seuil grille-émetteur) | 5.0V (typ.) |
| Boîtier | TO-220 |
Description technique du produit (SGP30N60HS):
Transistor IGBT 600V 30A SGP30N60HS. Transistor IGBT de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant, offrant une faible perte de conduction et de commutation.