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Infineon Technologies

Transistor IGBT 600V 30A SGP30N60

Référence produit : SGP30N60
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)30A
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))2.0V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 6.5V

Description technique du produit (SGP30N60):

Transistor IGBT 600V 30A SGP30N60. Le SGP30N60 est un transistor IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension. Il offre une faible tension de saturation et une robustesse élevée, le rendant idéal pour les convertisseurs de puissance.