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Infineon Technologies
Transistor IGBT 600V 30A IKW30N60H3
Référence produit : IKW30N60H3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 59 | 9.25 € | — |
| 60+Meilleur prix | 8.74 € | -6% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 30A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 1.6V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.2V (typ.) |
Description technique du produit (IKW30N60H3):
Transistor IGBT 600V 30A IKW30N60H3. L'IKW30N60H3 est un transistor IGBT de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation haute performance. Il offre une faible tension de saturation et des pertes de commutation réduites, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance et les entraînements de moteurs.