En stock
Toshiba
Transistor IGBT 600V 30A GT30J322
Référence produit : GT30J322
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 8.84 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 30A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 1.8V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 3.0-6.0V |
Description technique du produit (GT30J322):
Transistor IGBT 600V 30A GT30J322. Transistor IGBT de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.