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Eupec/infineon

Transistor IGBT 600V 30A BSM30GP60

Référence produit : BSM30GP60
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)30A
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) typique2.0V
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) typique5.5V

Description technique du produit (BSM30GP60):

Transistor IGBT 600V 30A BSM30GP60. Module IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible perte de conduction et de commutation, une robustesse élevée et une fiabilité opérationnelle.