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Advanced Power

Transistor IGBT 600V 30A APT15GP60BDQ1G

Référence produit : APT15GP60BDQ1G
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)30A
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))2.0V
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))5.0V

Description technique du produit (APT15GP60BDQ1G):

Transistor IGBT 600V 30A APT15GP60BDQ1G. L'APT15GP60BDQ1G est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour des applications de commutation à haute tension et courant. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance et les entraînements de moteurs.