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Transistor IGBT 600V 27A IRG4PC50KDPBF

Référence produit : IRG4PC50KDPBF
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)27A (à 100°C)
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))2.0V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 6.0V

Description technique du produit (IRG4PC50KDPBF):

Transistor IGBT 600V 27A IRG4PC50KDPBF. Transistor IGBT de puissance avec diode de roue libre intégrée, conçu pour les applications de commutation à haute fréquence et haute puissance.