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Stmicroelectronics

Transistor IGBT 600V 20A STGW20NC60VD

Référence produit : STGW20NC60VD
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)20A (à 100°C)
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))1.85V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))5V (typ.)

Description technique du produit (STGW20NC60VD):

Transistor IGBT 600V 20A STGW20NC60VD. Le STGW20NC60VD est un transistor IGBT de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance.