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Infineon Technologies
Transistor IGBT 600V 20A SKW20N60
Référence produit : SKW20N60
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 7.37 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 20A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 2.0V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 6.5V |
Description technique du produit (SKW20N60):
Transistor IGBT 600V 20A SKW20N60. Transistor IGBT de puissance NPT (Non Punch Through) conçu pour les applications de commutation à haute fréquence. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.