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Transistor IGBT 600V 20A IRG4PC30FDPBF

Référence produit : IRG4PC30FDPBF
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)20A (à 100°C)
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))1.85V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 6.0V

Description technique du produit (IRG4PC30FDPBF):

Transistor IGBT 600V 20A IRG4PC30FDPBF. Transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) conçu pour les applications de commutation à haute vitesse. Il offre de faibles pertes de conduction et de commutation, le rendant adapté à divers circuits d'électronique de puissance.