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Toshiba

Transistor IGBT 600V 20A GT20D201

Référence produit : GT20D201
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)20A
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))2.0V
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0-6.0V

Description technique du produit (GT20D201):

Transistor IGBT 600V 20A GT20D201. Transistor IGBT de puissance conçu pour des applications de commutation rapide.