En stock
Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 600V 200A YJP200G06A
Référence produit : YJP200G06A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 2.00 € | — |
| 10 – 19 | 1.61 € | -19% |
| 20 – 29 | 1.48 € | -26% |
| 30 – 49 | 1.34 € | -33% |
| 50 – 149 | 1.25 € | -38% |
| 150+Meilleur prix | 1.21 € | -40% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur | 600V |
| Courant collecteur | 200A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur | 1.8V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur | 5V (typ.) |
Description technique du produit (YJP200G06A):
Transistor IGBT 600V 200A YJP200G06A. Transistor IGBT de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.