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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 600V 200A YJB200G06A
Référence produit : YJB200G06A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.06 € | — |
| 5 – 19 | 1.68 € | -18% |
| 20 – 29 | 1.50 € | -27% |
| 30 – 99 | 1.36 € | -34% |
| 100 – 299 | 1.25 € | -39% |
| 300 – 799 | 1.21 € | -41% |
| 800+Meilleur prix | 1.21 € | -41% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 200A |
| Tension collecteur-émetteur à l'état saturé (Vce(sat)) | Faible (typ. 2.0V) |
| Tension de seuil de grille-émetteur (Vge(th)) | typ. 5.5V |
Description technique du produit (YJB200G06A):
Transistor IGBT 600V 200A YJB200G06A. Module IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide, idéal pour les convertisseurs et les entraînements de moteurs.