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Yangjie Electronic Technology

Transistor IGBT 600V 18A YJD18GP10A

Référence produit : YJD18GP10A
Quantité en stock : 1869 pièces disponibles
Prix dégressifs — Économisez en quantité
QuantitéPrix unitaireEconomisez
1 – 191.08 €—
20 – 490.74 €-31%
50 – 990.67 €-38%
100 – 2990.61 €-44%
300 – 24990.56 €-48%
2500+Meilleur prix0.56 €-48%
Quantité minimum : 10 pièces · Multiple de 10
Total : 21,80 €
La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur600V
Courant collecteur18A
Tension Vce(sat)1.8V
Tension Vge(th)3.5V

Description technique du produit (YJD18GP10A):

Transistor IGBT 600V 18A YJD18GP10A. Transistor IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.