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Transistor IGBT 600V 15A IRGB15B60KD
Référence produit : IRGB15B60KD
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 7.09 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur continu (Ic) | 15A |
| Tension collecteur-émetteur à l'état saturé (Vce(sat)) | 2.3V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 3.0V - 6.0V |
Description technique du produit (IRGB15B60KD):
Transistor IGBT 600V 15A IRGB15B60KD. L'IRGB15B60KD est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de 600V, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il intègre une diode de roue libre ultra-rapide pour des performances optimisées.