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Infineon Technologies

Transistor IGBT 600V 15A IKP15N60T

Référence produit : IKP15N60T
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)15A
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))1.7V
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))5.5V

Description technique du produit (IKP15N60T):

Transistor IGBT 600V 15A IKP15N60T. Transistor IGBT de puissance N-canal conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.