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Fairchild

Transistor IGBT 600V 12A HGTG12N60C3D

Référence produit : HGTG12N60C3D
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)12A
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))2.3V
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))5V

Description technique du produit (HGTG12N60C3D):

Transistor IGBT 600V 12A HGTG12N60C3D. Transistor IGBT de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.