En stock
Stmicroelectronics
Transistor IGBT 600V 10A STGF10NB60SD
Référence produit : STGF10NB60SD
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 3.50 € | — |
| 100+Meilleur prix | 3.30 € | -6% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 10A (à 100°C) |
| Tension collecteur-émetteur à l'état passant (Vce(sat)) | 2.3V (typ. à Ic=10A, Vge=15V) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 3.5V - 6.5V |
| Boîtier | TO-220FP |
Description technique du produit (STGF10NB60SD):
Transistor IGBT 600V 10A STGF10NB60SD. Le STGF10NB60SD est un transistor IGBT de 600V et 10A, encapsulé dans un boîtier TO-220FP. Il est conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et offre une faible tension de saturation, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance et les onduleurs.