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Infineon Technologies

Transistor IGBT 600V 10A SGP10N60A

Référence produit : SGP10N60A
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)10A
Tension collecteur-émetteur à l'état saturé (Vce(sat))2.2V
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.5V

Description technique du produit (SGP10N60A):

Transistor IGBT 600V 10A SGP10N60A. Le SGP10N60A est un transistor IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide, le rendant idéal pour les convertisseurs de puissance et les entraînements de moteurs.