En stock
Mitsubishi Electric Semiconductor
Transistor IGBT 600V 10A FS10TM12
Référence produit : FS10TM12
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 3.22 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 10A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V (typ.) |
Description technique du produit (FS10TM12):
Transistor IGBT 600V 10A FS10TM12. Transistor IGBT de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension.