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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 600V 100A YJP100GP06H
Référence produit : YJP100GP06H
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 2.26 € | — |
| 10 – 19 | 1.86 € | -18% |
| 20 – 29 | 1.72 € | -24% |
| 30 – 49 | 1.58 € | -30% |
| 50 – 99 | 1.48 € | -35% |
| 100+Meilleur prix | 1.44 € | -36% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur continu (Ic) | 100A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 2.0V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V |
Description technique du produit (YJP100GP06H):
Transistor IGBT 600V 100A YJP100GP06H. Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance conçu pour les applications de commutation à haute performance.