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Renesas Technology

Transistor IGBT 300V 40A RJH3077DPK

Référence produit : RJH3077DPK
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)300V
Courant collecteur (Ic)40A
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))1.3V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 5.0V
BoîtierDPAK

Description technique du produit (RJH3077DPK):

Transistor IGBT 300V 40A RJH3077DPK. IGBT de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.