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Renesas Technology
Transistor IGBT 300V 40A RJH3047DPK
Référence produit : RJH3047DPK
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 17.52 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 300V |
| Courant collecteur (Ic) | 40A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 1.5V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 3.0V-6.0V |
Description technique du produit (RJH3047DPK):
Transistor IGBT 300V 40A RJH3047DPK. Transistor IGBT de puissance N-canal conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.