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Renesas Technology
Transistor IGBT 300V 30A RJP30E4
Référence produit : RJP30E4
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 24 | 6.84 € | — |
| 25+Meilleur prix | 6.49 € | -5% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 300V |
| Courant collecteur (Ic) | 30A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 1.8V (typ) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 3.0V (typ) |
Description technique du produit (RJP30E4):
Transistor IGBT 300V 30A RJP30E4. Le RJP30E4 est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de puissance. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide, le rendant idéal pour les convertisseurs et les onduleurs.