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Stmicroelectronics
Transistor IGBT 300V 30A ESM3030DV
Référence produit : ESM3030DV
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 19 | 37.92 € | — |
| 20+Meilleur prix | 37.58 € | -1% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 300V |
| Courant collecteur (Ic) | 30A |
| Tension collecteur-émetteur à l'état saturé (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) @ 30A, 15V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 4.5V (typ.) |
Description technique du produit (ESM3030DV):
Transistor IGBT 300V 30A ESM3030DV. Transistor IGBT de puissance, conçu pour des applications de commutation rapide et de haute puissance.