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Infineon Technologies
Transistor IGBT 1350V 30A IHW30N135R5XKSA1
Référence produit : IHW30N135R5XKSA1
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 59 | 8.26 € | — |
| 60+Meilleur prix | 7.78 € | -6% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1350V |
| Courant collecteur (Ic) | 30A (à 100°C) |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 1.7V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.5V (typ.) |
Description technique du produit (IHW30N135R5XKSA1):
Transistor IGBT 1350V 30A IHW30N135R5XKSA1. Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant. Il offre une faible tension de saturation et des pertes de commutation réduites.