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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 1200V 8A YJP120G08A
Référence produit : YJP120G08A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 1.79 € | — |
| 10 – 19 | 1.42 € | -21% |
| 20 – 29 | 1.30 € | -27% |
| 30 – 49 | 1.18 € | -34% |
| 50 – 99 | 1.09 € | -39% |
| 100+Meilleur prix | 1.06 € | -41% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 8A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 2.5V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5V (typ.) |
Description technique du produit (YJP120G08A):
Transistor IGBT 1200V 8A YJP120G08A. Transistor IGBT de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant.