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Transistor IGBT 1200V 75A IRG4PH50KD
Référence produit : IRG4PH50KD
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 18.95 € | — |
| 50+Meilleur prix | 17.62 € | -7% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 75A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.7V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 3.0V à 6.0V |
Description technique du produit (IRG4PH50KD):
Transistor IGBT 1200V 75A IRG4PH50KD. Transistor IGBT de puissance avec diode de roue libre intégrée, optimisé pour les applications de commutation à haute tension et courant.