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Eupec/infineon
Transistor IGBT 1200V 75A FS75R12KE3GBOSA1
Référence produit : FS75R12KE3GBOSA1
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 366.83 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 75A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 1.7V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.8V (typ.) |
Description technique du produit (FS75R12KE3GBOSA1):
Transistor IGBT 1200V 75A FS75R12KE3GBOSA1. Module IGBT de puissance avec une tension collecteur-émetteur de 1200V et un courant collecteur de 75A, optimisé pour les applications de commutation à haute efficacité.