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Infineon Technologies
Transistor IGBT 1200V 60A IGW60T120
Référence produit : IGW60T120
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 15.17 € | — |
| 50+Meilleur prix | 14.35 € | -5% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 60A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 1.85V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.2V (typ.) |
Description technique du produit (IGW60T120):
Transistor IGBT 1200V 60A IGW60T120. Le IGW60T120 est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant. Il offre une faible tension de saturation et des pertes de commutation réduites, le rendant idéal pour les convertisseurs de puissance.