En stock
Transistor IGBT 1200V 60A APT2X60DQ120J
Référence produit : APT2X60DQ120J
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 32.15 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 60A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 2.2V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V (typ.) |
Description technique du produit (APT2X60DQ120J):
Transistor IGBT 1200V 60A APT2X60DQ120J. Transistor IGBT double de puissance, optimisé pour les applications de commutation à haute tension et courant. Il offre de faibles pertes de conduction et de commutation, une robustesse élevée et une capacité de courant élevée.