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Infineon Technologies
Transistor IGBT 1200V 600A DF600R12IP4D
Référence produit : DF600R12IP4D
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 14 | 481.06 € | — |
| 15+Meilleur prix | 470.36 € | -2% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 600A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 2.05V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.8V (typ.) |
Description technique du produit (DF600R12IP4D):
Transistor IGBT 1200V 600A DF600R12IP4D. Module IGBT de puissance avec une tension collecteur-émetteur de 1200V et un courant collecteur de 600A, conçu pour les applications de commutation haute puissance.