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ON Semiconductor
Transistor IGBT 1200V 5A HGTG5N120BND
Référence produit : HGTG5N120BND
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 5.82 € | — |
| 50+Meilleur prix | 5.47 € | -6% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 5A |
| Tension collecteur-émetteur à l'état saturé (Vce(sat)) | 2.5V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 4.0V - 6.5V |
Description technique du produit (HGTG5N120BND):
Transistor IGBT 1200V 5A HGTG5N120BND. Le HGTG5N120BND est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.