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Transistor IGBT 1200V 48A IRG4PH50U

Référence produit : IRG4PH50U
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)1200V
Courant collecteur continu (Ic)48A (à 100°C)
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))2.7V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 6.0V

Description technique du produit (IRG4PH50U):

Transistor IGBT 1200V 48A IRG4PH50U. Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension.