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Transistor IGBT 1200V 45A APT45GP120B2DQ2G
Référence produit : APT45GP120B2DQ2G
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 30.78 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 45A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) typique | 2.1V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) typique | 5.0V |
Description technique du produit (APT45GP120B2DQ2G):
Transistor IGBT 1200V 45A APT45GP120B2DQ2G. Transistor IGBT de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation à haute tension et courant. Il offre une faible tension de saturation et des performances de commutation rapides.