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Transistor IGBT 1200V 40A IRG4PH40KPBF

Référence produit : IRG4PH40KPBF
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)1200V
Courant collecteur (Ic)40A (à 25°C)
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))2.7V (typ. à 20A, 15V)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 6.0V

Description technique du produit (IRG4PH40KPBF):

Transistor IGBT 1200V 40A IRG4PH40KPBF. L'IRG4PH40KPBF est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance conçu pour les applications de commutation à haute fréquence. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance et les onduleurs.